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https://hdl.handle.net/20.500.12394/2539
Título: | Sílabo de Semiconductores y Dispositivos Electrónicos |
Autor(es): | Universidad Continental |
metadata.dc.contributor.other: | Gutarra Meza, Felípe, Decano Facultad de Ingeniería |
Palavras-chave: | Ingeniería electrónica Circuitos eléctricos Diodos Sílabos |
Editor: | Universidad Continental |
metadata.dc.subject.classification: | Semiconductores y Dispositivos Electrónicos (A0561) Estudios específicos |
Data do documento: | 2016 |
metadata.dc.date.available: | 5-Ago-2016 |
Descrição: | Bandas de energía, cristales de (silicio), materiales extrínsecos e intrínsecos, la juntura PN y el diodo semiconductor, introducción a la teoría de los transistores BJT. Tipos, configuraciones, recta de carga, parámetros híbridos, parámetros pi. Los transistores fet, los transistores mosfet, diversas configuraciones, propiedades, rectas de carga. El amplificador diferencia. |
metadata.dc.description.note: | Plan curricular 2007 |
metadata.dc.relation.publishversion: | 2017 |
metadata.dc.publisher.department: | Facultad de Ingeniería |
metadata.dc.format.extent: | 5 páginas |
metadata.dc.rights.accessRights: | Restringido |
metadata.dc.source: | Universidad Continental Repositorio Institucional - Continental |
metadata.dc.audience: | Estudiantes Docentes |
Aparece nas coleções: | Sílabos |
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